سامسونگ از چیپ حافظه داخلی ۱ ترابایتی ویژه موبایل رونمایی کرد

0

سامسونگ الکترونیک از چیپ حافظه داخلی ۱ ترابایتی ویژه موبایل از نوع eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) رونمایی به عمل آورد. تولید انبوه این چیپ آغاز شده و ما می‌توانیم امیدوار باشیم در گوشی گلکسی اس ۱۰ پلاس که در اول اسفند رونمایی می‌شود و قرار است حافظه داخلی ۱ ترابایتی را ارائه کند، این چیپ حافظه داخلی را ببینیم

این چیپ جدید هم اندازه چیپ ۵۱۲ گیگابایتی که قبلا معرفی شده و دارای اندازه ۱۱٫۵ در ۱۳ میلی متر است، می‌باشد. علاوه بر این این چیپ حافظه ۱ ترابایتی با دو برابر ظرفیت ذخیره سازی بیشتر با ترکیب ۱۶ لایه ی ذخیره سازی فلش V-NAND و یک کنترلر تازه تولید شده است. سامسونگ همچنین توانسته میزان قابل توجهی افزایش سرعت خواندن و نوشتن را نیز بدست آورد.

تراشه جدید سامسونگ دارای سرعت خواندن متوالی تا ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن متوالی ۲۶۰ مگابایت بر ثانیه است. برای مقایسه، حافظه استاندارد ۲٫۵ اینچ SATA SSD با سرعت خواندن ۵۴۰ مگابیت بر ثانیه تولید می‌شود، بنابراین توانایی چیپ حافظه جدید سامسونگ قابل توجه است. در مقایسه با نسل قبلی ذخیره سازی ۵۱۲ گیگابایت، سرعت خواندن تصادفی تراشه ۱ ترابایتی با ۳۸ درصد افزایش مواجه شده است.

در ادامه یک جدول آمده و سرعت خواندن نوشتن این چیپ حافظه با سایر چیپ‌ها را مقایسه می‌کند.

حافظهخواندن متوالی نوشتن متوالی خواندن تصادفی (IOPS) نوشتن تصادفی (IOPS)
1TB eUFS 2.11000 مگابایت بر ثانیه ۲۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۸,۰۰۰۵۰,۰۰۰
۵۱۲GB eUFS 2.1 860 مگابایت بر ثانیه ۲۵۵ مگابایت بر ثانیه۴۲,۰۰۰ ۴۰,۰۰۰
۲۵۶GB UFS Card 530 مگابایت بر ثانیه ۱۷۰ مگابایت بر ثانیه ۴۰,۰۰۰ ۳۵,۰۰۰
۲۵۶ eUFS 2.0 850 مگابایت بر ثانیه ۲۶۰ مگابایت بر ثانیه۴۵,۰۰۰ ۴۰,۰۰۰
۱۲۸GB eUFS 2.0 300 مگابایت بر ثانیه ۱۵۰ مگابایت بر ثانیه ۱۹,۰۰۰ ۱۴,۰۰۰


 

دیدگاه خود را منتشر کنید

دیدگاه خود را درج کنید
نام خود را اینجا بنویسید

10 − 9 =