سامسونگ: تراشه‌های ۳ نانومتری GAAFET در ۲۰۲۱ به تولید انبوه می‌رسند

0

آخرین گزارش مالی سامسونگ که اخیرا منتشر شد، نشان داد که سود سامسونگ در سه ماهه چهارم سال ۲۰۱۸ به میزان قابل توجهی کاهش داشته است، در مقایسه با سال گذشته ۹ درصد و ۳۸٫۵ درصد نسبت به سه ماهه قبل از آن. دلیل اصلی کاهش شدید درآمد، کاهش فروش گوشی‌های هوشمند و کاهش قیمت تراشه‌های سامسونگ است که این روند تا نیمه اول سال جاری ادامه خواهد داشت.

با وجود کاهش قیمت تراشه‌های این شرکت، سامسونگ قصد دارد بخش کسب و کار ریخته گری خود را تقویت کند و به همین خاطر می‌خواهد با پیشی گرفتن از شرکت تایوانی TSMC، فناوری های جدید را در این زمینه بدست آورد و این فناوری‌های پیشرفته را در توسعه کسب و کار ریخته گری خود به کار ببندد.

به گفته مدیران سامسونگ، در نیمه دوم سال جاری تولید انبوه تراشه‌های ۷ نانومتری مبتنی بر فناوری ساخت EUV آغاز خواهد شد و در سال ۲۰۲۱، این شرکت تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری مبتنی بر فناوری پیشرفته GAAFET را استارت خواهد زد.

براساس گزارش وب سایت Tomshardware، رایان سانقیان لی، معاون شرکت ریخته گری سامسونگ، گفت که سامسونگ از سال ۲۰۰۲ تکنولوژی GAA (Gate-All-Around) را توسعه داده و با استفاده از دستگاه‌های نانوچیپی، MBCFET (چند پل کانال) ایجاد کرده است. فناوری فوق می‌تواند عملکرد ترانزیستورها را به طور قابل توجهی افزایش دهد.

سامسونگ در سال گذشته گفت که از فرآیند ۴ نانومتری GAAFET تا سال ۲۰۲۰ استفاده خواهد کرد. ناظران صنعتی، مانند معاون گارنر، ساموئل وانگ، تردید دارند که تراشه‌های GAAFET بتوانند قبل از سال ۲۰۲۲ به تولید انبوه برسند. با این حال، وی در اظهاراتی جدید گفته که اکنون به نظر می‌رسد که شرکت سامسونگ قبل از این که انتظار داشته باشد چیپ‌های GAAFET را برای تولید انبوه آماده خواهد کرد.

انتظار می‌ر‌ود که سامسونگ برای اولین بار در سال جاری تولید تراشه‌های ۷ نانومتری مبتنی بر فرآیند EUV را کلید بزند، اگرچه شرکت‌هایی نظیر TSMC از فرآیند EUV زیاد فاصله ندارند اما سامسونگ دارای برتری‌هایی است، زیرا این شرکت توسعه اولیه را انجام داده ولی هنوز هیچ شرکتی موفق به توسعه اولیه ابزار مورد نیاز برای تولید تراشه‌های ۷ نانومتری مبتنی بر فرآیند EUV نشده است.

 

دیدگاه خود را منتشر کنید

دیدگاه خود را درج کنید
نام خود را اینجا بنویسید

14 − 8 =